Ciri-ciri Produk

01/

Keupayaan Arus Tinggi (1.0A)
Kadar arus yang jauh lebih tinggi berbanding diod HV standard.

02/

Pemulihan Pantas untuk{0}}Kendalian Frekuensi Tinggi
Masa pemulihan terbalik 150nS maksimum membolehkan aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi-, meminimumkan kehilangan pensuisan dalam litar frekuensi tinggi-, menyokong operasi cekap dalam bekalan kuasa mod-

03/

Toleransi Arus Lonjakan Tinggi
Penarafan arus lonjakan puncak 50A memberikan perlindungan yang sangat baik terhadap peristiwa nyahcas CRT dan sementara permulaan, memastikan operasi yang boleh dipercayai semasa perubahan beban mendadak atau keadaan kuasa-menaikkan, direka khusus untuk kerintangan nyahcas CRT

04/

Arus Kebocoran Rendah
Kebocoran terbalik ultra-rendah sebanyak 5μA pada 25 darjah memastikan kehilangan kuasa siap sedia yang minimum, mengekalkan prestasi sehingga 50μA pada 100 darjah untuk kebolehpercayaan-suhu tinggi, meningkatkan ketepatan dalam litar-impedans tinggi

05/

Penurunan Voltan Hadapan Rendah
Voltan hadapan 9.0V maksimum mengurangkan kehilangan pengaliran, membolehkan operasi yang lebih sejuk, menghapuskan keperluan untuk sink haba yang besar dalam banyak aplikasi, meningkatkan kecekapan sistem keseluruhan

06/

Reka Bentuk Kebolehpercayaan-Tinggi
Pembinaan acuan resin epoksi untuk perlindungan alam sekitar, Pensuisan berkelajuan tinggi{0}}dioptimumkan untuk aplikasi yang menuntut, Penarafan voltan tinggi dengan kualiti pembuatan yang mantap

07/

Julat Suhu Operasi yang Luas
Penarafan suhu simpang sehingga 120 darjah atau lebih untuk persekitaran yang mencabar, Suhu penyimpanan dari -40 darjah hingga +155 darjah

Spesifikasi

Ciri-ciri Elektrik (Tamb=25 darjah, melainkan dinyatakan sebaliknya )	Simbol	syarat	Nilai Dinilai	Unit
Voltan Balik Puncak Berulang	V_RRM		3	KV
Purata maks. Arus Hadapan	I_O	@minyak T_rehat=50 darjah	1	A
Maks. Lonjakan Arus	I_FSM		50	A
Maks. Penurunan Voltan Hadapan	V_FM	Ta=25 darjah	9	V
Maks. Masa Pemulihan Songsang	trr	I_F=2mA, I_R=4mA	150	nS
Maks. Arus Balik	I_RRM		5.0	μA
Maks. Persimpangan Suhu	T_J		130	ijazah
Julat Suhu Penyimpanan	Tstg		-40-+130	ijazah

Dimensi rangka pakej

product-304-130

SIMBOL	MIN		MAX
	dalam	mm	dalam	mm
B	-	-	0.354	9
C	-	-	0.197	5
A	0.866	22	-	-
D	-	-	0.0504	1.28

BR-Siri F 2-10KV 0.4-1A 150nS

taip	Nilai Dinilai			Temp. keadaan		Ciri Elektrik [Ta=25ijazah, semuanya adalah nilai maksimum]			Dimensi
	VRRM	JIKA(AV)	IFSM	Tj	Tstg	VF	IR1	Trr	*φbadanL, φplumbum**
	VRRM	JIKA(AV)	IFSM	Tj	Tstg	[JIKA=JIKA(AV)]	[VR=VRRM]	Trr	*φbadanL, φplumbum**
	KV	A	A	ijazah	ijazah	V	μA	μS	mm
BR2F	2	1	50	120	-40~+120	9	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR3F	3	1	50	120	-40~+120	9	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR4F	4	0.8	50	120	-40~+120	11	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR5F	5	0.8	50	120	-40~+120	14	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2
BR10F	10	0.4	50	120	-40~+120	25	5	0.15	Φ5*9/Φ1.2

Medan Aplikasi

Kawasan Permohonan	Kes Penggunaan Tertentu
Peralatan Perubatan	• Bekalan kuasa X-ray (bekalan kuasa cahaya X) • Pembetulan HV pengimejan perubatan
Elektronik Perindustrian	• Bekalan kuasa voltan tinggi- • Litar pengganda voltan • Pembetulan HV industri
Sistem Laser	• Pembetulan bekalan kuasa laser • Pemacu laser berdenyut
Ketuhar gelombang mikro & RF	• Bekalan kuasa pelepasan gelombang mikro • Litar pemacu magnetron
Elektronik Pengguna	• Litar paparan CRT (rintangan lonjakan tinggi untuk nyahcas CRT) • Pembetulan HV televisyen
Elektronik Kuasa	• Bekalan kuasa mod-frekuensi tinggi-tinggi • Litar pengecasan kapasitor • Litar pengapit dan perlindungan HV

Cool tags: br3f hv diod, China br3f hv diod pengeluar, pembekal, Diod HV BR3F, Diod Nilai Arus Tinggi Voltan Tinggi, Diod HV Siri HVRW

BR3F HV Diod

Ciri-ciri Produk

Spesifikasi

BR-Siri F 2-10KV 0.4-1A 150nS

Medan Aplikasi

Anda mungkin juga berminat

Hantar pertanyaan