Oleh itu, dalam reka bentuk cip, pengoptimuman Trr boleh ditinggalkan, dan segala usaha boleh ditumpukan untuk meningkatkan kawasan cip yang berkesan. Kawasan cip yang lebih besar bermakna ketumpatan arus yang lebih rendah, pengagihan haba yang lebih seragam pada permukaan cip dan simpang yang lebih rendah-untuk-rintangan haba kes pada arus terkadar yang sama. Mengambil CL01-12 siri frekuensi kuasa diod voltan tinggi sebagai contoh, pada voltan tahan 12kV dan arus berkadar 350mA, VF biasa ialah lebih kurang 12V dan pelesapan kuasa pengaliran adalah lebih kurang 4.2W.
Walau bagaimanapun, untuk penarafan voltan tahan yang sama, versi pemulihan pantas, untuk mengurangkan Trr kepada di bawah 100ns melalui pusat penggabungan semula doping, mungkin mempunyai VF yang meningkat kepada 15V atau lebih tinggi, menghasilkan perbezaan pelesapan kuasa hampir 30% pada 350mA yang sama. Untuk bekalan kuasa pengumpul habuk industri yang berjalan 16 jam sehari, 365 hari setahun, perbezaan pelesapan kuasa 30% ini terkumpul kepada jumlah yang besar dalam kos elektrik. Di bawah arus undian yang sama, kawasan cip versi frekuensi kuasa biasanya 30% hingga 50% lebih besar daripada versi pemulihan pantas. Inilah sebab asas mengapa ia boleh membawa arus yang sama dengan VF - kawasan yang lebih rendah, ketumpatan arus yang lebih rendah dan kesan modulasi konduktans yang lebih lengkap.
